硅锗
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硅锗

硅锗(英文:Silicon-germanium,缩写为SiGe),是一种合金,依硅和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用来当集成电路 (IC) 中的半导体材料,可做成异质接面双极性晶体管或CMOS晶体管中的应变感应层 (strain-inducing layer)。此一新的技术使混合讯号积体体路和类比集成电路在积体设计和制上,多了一项选择。

使用传统的硅半导体制程技术,即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面,SiGe制程的成本和硅制程相当,但在异质接面技术方面,SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来,使用有机金属气相磊晶 (MOVPE) 沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变硅时,会使用只有少量危害的液体来当做替代物,像organogermanium前驱物 (如:isobutylgermane、alkylgermanium trichlorides、dimethylaminogermanium的三氯化物)。[1] [2] 
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司:国际商务机器 (IBM)、意法半导体 (STMicroelectronics)、台湾集成电路制造股份有限公司 (TSMC)、飞思卡尔 (Freescale,原本的摩托罗拉半导体部门)、新力索尼 (Sony)、爱特梅尔 (en:Atmel)、特许半导体 (Chartered Semiconductor)、迈瑞 (Micrel)、英飞凌 (Infineon)、德州仪器 (TI)、IHP、捷智半导体 (Jazz Semiconductor,原本的胜讯 Conexant)。超微半导体 (AMD) 有意加入IBM的SiGe应变硅技术开发计划,将技术迈入65 nm。

SiGe材料可让异质接面双极性晶体管整合进CMOS逻辑集成电路,达成混合讯号电路的功能。异质接面双极性晶体管比起同质接面双极性电极体,拥有高顺向增益、低逆向增益、低电流和较好的高频特性等优点。但在异质面技术中,通常只有化合物半导体可以提供能带tuning的功能。 
绝缘体上硅锗(Silicon-germanium-on-insulator,缩写为SGOI)是一项类似绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,缩写为SOI)的技术,现今被运用在电脑的芯片。SGOI技术可以增加原子间的距离,加快电流流动的速度,以提高微芯片中晶体管的速度。

 

 

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